| 发明名称 | 半导体器件的导线焊点强化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的导线焊点强化方法，包括：在框架内引线的焊接区开设至少两个通孔；在所述焊接区焊接导线，所述导线的焊接位置位于两个相邻的所述通孔之间；在所述通孔内设置锁定卡来将所述导线与所述框架内引线紧紧卡箍在一起。本发明提供的上述方案，通过锁定卡将焊接于框架内引线上的导线，牢靠的卡箍在框架内引线上，有效的避免了导线与框架内引线剥离的情况发生，加强了导线与框架内引线的电连接，提高了半导体器件，特别是半导体功率器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104064485A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201410308073.7 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 石海忠;郇林香;缪小勇;吴晶;虞国良 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮 |
| 主权项 | 一种半导体器件的导线焊点强化方法，其特征在于，包括：在框架内引线的焊接区开设至少两个通孔；在所述焊接区焊接导线，所述导线的焊接位置位于两个相邻的所述通孔之间；在所述通孔内设置锁定卡来将所述导线与所述框架内引线紧紧卡箍在一起。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||