发明名称 一种光刻设备垂向动态曝光方法及装置
摘要 本发明提出一种光刻设备垂向动态曝光方法,用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上,其特征在于:具体包括如下步骤:(1)对准工件台,找到最佳焦面,并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部;(2)根据光刻胶厚度及曝光时间,计算工件台的运动速度,所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间;(3)曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升,整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度,曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部;(4)曝光结束后,工件台停止运动并开始后烘和显影过程。本发明还提出垂向动态曝光装置。本发明通过在曝光过程中,使工件台在垂向匀速移动,并且在移动过程中进行连续曝光,可以有效地增加厚胶工艺中反胶所形成的倒梯形图形的倾斜度。
申请公布号 CN104062853A 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201310090953.7 申请日期 2013.03.21
申请人 上海微电子装备有限公司 发明人 施忞;章磊;夏志鹏
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 王光辉
主权项 一种光刻设备垂向动态曝光方法,用于将掩模版图形通过投影物镜系统曝光成像在工件台的硅片上,其特征在于:具体包括如下步骤:(1)对准工件台,找到最佳焦面,并使最佳焦面位于硅片的光刻胶顶部;(2)根据光刻胶厚度及曝光时间,计算工件台的运动速度,所述运动速度为光刻胶厚度除以曝光时间;(3)曝光时工件台按照运动速度垂向匀速上升,整个曝光过程中工件台移动的距离等于光刻胶涂层的厚度,曝光完成时使工件台的最佳焦面停留在光刻胶涂层的底部;(4)曝光结束后,工件台停止运动并开始后烘和显影过程。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号
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