| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成上窄下宽的栅极堆叠结构；以栅极堆叠结构为掩模，对衬底进行第一次离子注入，在衬底中同时形成源漏延伸区与源漏区。依照本发明的半导体器件制造方法，利用特殊的栅极堆叠结构实现单次离子注入，从而简便、高效、低成本的实现LDD结构的制造，简化了工艺，提高了器件可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104064462A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201310086993.4 | 申请日期 | 2013.03.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐兆云;闫江;李峻峰;唐波;许静;王红丽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成上窄下宽的栅极堆叠结构；以栅极堆叠结构为掩模，对衬底进行第一次离子注入，在衬底中同时形成源漏延伸区与源漏区。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||