发明名称 电荷帮浦
摘要 本发明是有关于一种电荷帮浦,可放大一输入端所接收的输入电压,并于一输出端输出放大后的输出电压。此电荷帮浦包含多个源漏极耦接晶体管作为充电电容,以及多个叠接晶体管以对称设置的方式连接于输入端与输出端间,且此电荷帮浦更包含多个二极管连接式晶体管,以防止源漏极耦接的晶体管在电荷转移过程中崩溃,并且提高电荷转移速度。本发明电荷帮浦可藉由置换充电电容为源漏极耦接晶体管,可将电荷帮浦整合于一晶上;此电荷帮浦可藉由设置二极管连接式晶体管,藉此可解泱晶体管崩溃的问题。
申请公布号 CN102347687B 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201010246224.2 申请日期 2010.08.04
申请人 宏碁股份有限公司 发明人 吴俊毅;谢维致;张铭宏;黄威
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种电荷帮浦,其特征在于包含: 一第一叠接部,包括一第一晶体管及一第二晶体管,该第一晶体管与该第二晶体管的源极相互耦接,且该第一晶体管与该第二晶体管的栅极相互耦接于一第一节点; 一第二叠接部,包括一第三晶体管及一第四晶体管,该第三晶体管与该第四晶体管的源极相互耦接,且该第三晶体管与该第四晶体管的栅极相互耦接于一第二节点,该第一晶体管的漏极耦接于该第三晶体管的漏极; 一第三叠接部,包括一第五晶体管及一第六晶体管,该第五晶体管与该第六晶体管的源极相互耦接,且该第五晶体管与该第六晶体管的栅极相互耦接于一第三节点,该第五晶体管的漏极耦接于该第二晶体管的漏极; 一第四叠接部,包括一第七晶体管及一第八晶体管,该第七晶体管与该第八晶体管的源极相互耦接,且该第七晶体管与该第八晶体管的栅极相互耦接于一第四节点,该第七晶体管的漏极耦接于该第四晶体管的漏极,该第六晶体管与该第八晶体管的漏极相互耦接于一输出端; 其特征在于: 一第一电容,其中一端耦接该第二节点,且其中另一端接收一第一时脉信号; 一第二电容,其中一端耦接该第一节点,且其中另一端接收一第二时脉信号; 一第三电容,其两端分别耦接该第一节点及该第四节点; 一第四电容,其两端分别耦接该第二节点及该第三节点; 一第一二极管连接式晶体管,其源极耦接该第二节点,且其漏极与栅极耦接该第三节点; 一第二二极管连接式晶体管,其源极耦接该第一节点,且其漏极与栅极耦接该第四节点; 一第一输出端晶体管,其源极耦接该第四节点,且其漏极与栅极相互耦接于该输出端;及 一第二输出端晶体管,其源极耦接该第三节点,且其漏极与栅极相互耦接于该输出端; 所述的第一电容为一第一源漏极耦接晶体管电容,该第一源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第二节点,该第一源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接且接收该第一时脉信号;该第二电容为一第二源漏极耦接晶体管电容,该第二源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第一节点,该第二源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接且接收该第二时脉信号;该第三电容为一第三源漏极耦接晶体管电容,该第三源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第四节 点,该第三源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接于该第一节点;该第四电容为一第四源漏极耦接晶体管电容,该第四源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第三节点,该第四源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接于该第二节点。 
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