相变存储器的制造方法

摘要

一种相变存储器的制造方法，包括：提供半导体衬底；图形化第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；以第一硬掩模图形为掩模，进行刻蚀以形成深沟槽；形成保型覆盖深沟槽的衬垫层；向覆盖有衬垫层的深沟槽中填充半导体材料，形成半导体层；去除位于半导体层上的部分衬垫层；在半导体层上沉积介质材料，直至填满深沟槽；通过平坦化工艺去除多余的介质材料，直至露出第二硬掩模层；图形化第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；通过灰化去除第二硬掩模图形露出的部分介质层，形成由剩余介质层和外延层围成的凹陷；以第二硬掩模图形为掩模去除部分外延层，以形成浅沟槽。本发明制造方法较为简单。

主权项

一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底自下至上依次包含有衬底层，位于衬底层上的阱区、外延层、第二硬掩模层与第一硬掩模层；图形化所述第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；以所述第一硬掩模图形为掩模，刻蚀所述第二硬掩模层、外延层、阱区及部分衬底层以形成深沟槽，所述深沟槽的深度至少超过阱区底部，去除所述第一硬掩模图形；形成保型覆盖所述深沟槽的衬垫层；向覆盖有衬垫层的深沟槽中填充半导体材料，形成半导体层，所述半导体层的厚度需满足其上表面位于外延层的上表面和下表面之间；去除位于半导体层上的部分衬垫层；在半导体层上沉积介质材料，直至填满深沟槽；通过平坦化工艺去除多余的介质材料，直至露出第二硬掩模层，形成介质层；图形化所述第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形，所述第二硬掩模图形与所述第一硬掩模图形相垂直；通过灰化去除所述第二硬掩模图形露出的部分介质层，形成由剩余介质层和外延层围成的凹陷；以所述第二硬掩模图形为掩模去除部分外延层，所述外延层的上表面高于剩余介质层的高度，以形成浅沟槽；去除所述第二硬掩模图形。