发明名称 |
光阻下层膜形成组成物 |
摘要 |
【课题】提供一种可形成除了埋入性优异、昇华物量少之外,耐蚀刻性优异、折射系数及衰退系数之数值良好的下层膜之下层膜形成组成物。;【解决手段】含有(A)具有规定的构造单元之聚合物、(B)具有丁基醚基之交联剂、与(C)溶剂之下层膜形成组成物。 |
申请公布号 |
TWI453544 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW098124182 |
申请日期 |
2009.07.17 |
申请人 |
JSR股份有限公司 日本 |
发明人 |
今野洋助;峯岸信也;佐藤光央 |
分类号 |
G03F7/11;C08F212/32;C08F220/26;C08F212/14;C08F212/08;C08K5/3445;C08K5/3492 |
主分类号 |
G03F7/11 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
主权项 |
一种光阻下层膜形成组成物,其系含有:(A)具有下述通式(1)所示构造单元、下述通式(2)所示构造单元、下述通式(3)所示构造单元、及下述通式(4)所示构造单元的聚合物,(B)具有丁基醚基之交联剂,与(C)溶剂,(其中,前述通式(1)中,R1表示氢原子、碳数1~6的亦可取代之烷基、羟基、碳数1~6的烷氧基、羧基、碳数1~6的烷氧基羰基、碳数1~6的烷氧基羰氧基、羟甲基、或碳数1~6的烷氧基羟甲基,R2及R3系各自表示氢原子、或碳数1~6的亦可取代之烷基);(其中,前述通式(2)中,R4表示氢原子或甲基,R5表示碳数1~4的伸烷基);(其中,前述通式(3)中,R6表示氢原子、碳数1~6的亦可取代之烷基、羟基、碳数1~6的烷氧基、羧基、碳数1~6的烷氧基羰基、碳数1~6的烷氧基羰氧基、羟甲基、或碳数1~6的烷氧基羟甲基,R7表示氢原子或碳数1~6的亦可取代之烷基,n表示1~3的整数);(其中,前述通式(4)中,R8、R9及R10系各自独立地表示氢原子、碳数1~6的亦可取代之烷基)。 |
地址 |
日本 |