画素结构及其制作方法

摘要

一种画素结构包含有基板、设于基板上之电极图案、设置于电极图案上之第一绝缘层、设于第一绝缘层上之共通电极、设于共通电极上之第二绝缘层以及设于第二绝缘层上之汲极。第一绝缘层具有第一穿孔，且第二绝缘层具有第二穿孔。汲极包含藉由第一穿孔与第二穿孔与电极图案电性连接之第一部分及延伸至共通电极上方之第二部分。共通电极分别与电极图案以及第二部分耦合而成第一储存电容与第二储存电容。

主权项

一种画素结构，包含有：一基板；一闸极，设置于该基板上；一电极图案，设置于该基板上；一第一绝缘层，设置于该基板、该闸极以及该电极图案上，且该第一绝缘层具有一第一穿孔曝露出部分该电极图案；一共通电极，设置于该第一绝缘层上且对应于该电极图案；一第二绝缘层，设置于该共通电极与该第一绝缘层上，且该第二绝缘层具有一第二穿孔对应该第一穿孔；一半导体层，设置于该第二绝缘层上，且对应该闸极；一源极以及一汲极，设置于该半导体层与该第二绝缘层上，并对应该闸极之二侧，该汲极包含一第一部分及一第二部分，该汲极之该第一部分系与该汲极之该第二部分相互连接，且该汲极之该第一部分藉由该第一穿孔以及该第二穿孔与该电极图案电性连接，该汲极之该第二部分延伸至该共通电极上方，其中该电极图案与该共通电极部分重叠且耦合而成一第一储存电容，且该汲极之该第二部分与该共通电极部分重叠且耦合而成一第二储存电容；一保护层，设置于该第二绝缘层、该半导体层、该源极以及该汲极上，且该保护层具有一第三穿孔曝露出部分该汲极；以及一画素电极，设置于该保护层上，且该画素电极经由该第三穿孔与该汲极电性连接。