发明名称 |
具有误差修正功能之完全缓冲式双直列记忆体模组 |
摘要 |
一种记忆体模组,其包括:包含记忆体区块的第一记忆体;第二记忆体;以及非挥发性记忆体。在具有第一位址之此等记忆体区块之至少之一之测试期间,控制模组将来自此等记忆体区块之至少之一之资料储存至第二记忆体中之第二位址,且将第一与第二位址储存到非挥发性记忆体中。内容可定址记忆体(CAM)将有缺陷记忆体位置之位址储存于第一记忆体中,且对于有缺陷记忆体位置储存与撷取资料。 |
申请公布号 |
TWI453751 |
申请公布日期 |
2014.09.21 |
申请号 |
TW096128368 |
申请日期 |
2007.08.02 |
申请人 |
迈威尔世界贸易有限公司 巴贝多 |
发明人 |
塞哈 史达佳;赛伊德 阿兹米 |
分类号 |
G11C29/04;G11C8/18;G06F13/20 |
主分类号 |
G11C29/04 |
代理机构 |
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代理人 |
洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼 |
主权项 |
一种记忆体模组,包括:Z个记忆体模组,各记忆体模组包括:缓冲器模组;包含记忆体区块的第一记忆体;第二记忆体;非挥发性记忆体;和内容可定址记忆体(CAM),其将有缺陷的记忆体位置的位址储存至该第一记忆体中,并且对该等有缺陷的记忆体位置储存和撷取资料;以及控制模组,其在测试具有第一位址的该记忆体区块之至少之一期间,将来自该等记忆体区块该至少之一之资料储存到该第二记忆体中的第二位址,并且将该第一位址和第二位址储存到该非挥发性记忆体中,其中该Z个记忆体模组中的Z-1个的该缓冲器模组与该Z个记忆体模组中的前一个通信,且其中Z是大于1的整数。 |
地址 |
巴贝多 |