半导体装置之制造方法

摘要

根据实施形态，本发明之半导体装置之制造方法系包含：研削半导体基板之周缘部之研削步骤；及于包含藉由研削步骤而露出之表面之半导体基板之表面上，形成作为绝缘膜之保护膜之保护膜形成步骤。

主权项

一种半导体装置之制造方法，其特征在于：研削半导体基板之周缘部，且于包含藉由上述研削而露出之表面之上述半导体基板之表面上，形成保护膜，该保护膜系绝缘膜；藉由于形成上述保护膜后之上述半导体基板上，自上述保护膜侧贴合其他基板而形成贴合基板；上述半导体基板系于内部包含作为蚀刻止挡层发挥作用之止挡层，将上述止挡层作为蚀刻止挡层，自上述贴合基板之上述半导体基板侧进行蚀刻，藉此将上述半导体基板薄化；使用药液除去上述止挡层；且使上述保护膜为对上述药液具备耐受性之材质。