相偏移光罩基底及相偏移光罩之制造方法

摘要

本发明之课题在于提供一种可避免引起负载效应之相偏移光罩基底等。本发明之相偏移光罩基底之特征在于：其系于对曝光光线透明之基板(1)上依序形成有相偏移膜(5)、遮光性膜(2)及蚀刻遮罩膜(3)之相偏移光罩基底(11)，该相偏移膜(5)系包含矽，该遮光性膜(2)系包含对上述相偏移膜之蚀刻具有耐受性之材料，该蚀刻遮罩膜(3)系包含对上述遮光性膜之蚀刻具有耐受性之无机材料，且设上述相偏移膜(5)之膜厚为t1，设将上述蚀刻遮罩膜(3)及上述遮光性膜(2)作为遮罩并藉由蚀刻剂来乾式蚀刻上述相偏移膜(5)之蚀刻速度为v1，设上述蚀刻遮罩膜(3)之膜厚为t2，并设上述蚀刻遮罩膜(3)为上述蚀刻剂所乾式蚀刻之蚀刻速度为v2时，(t1/v1)≦(t2/v2)。

主权项

一种相偏移光罩基底，其特征在于：其系于对曝光光线透明之基板上依序形成有相偏移膜、遮光性膜及蚀刻遮罩膜者，其中该相偏移膜包含矽，该遮光性膜系由对上述相偏移膜之蚀刻具有耐受性且含有金属之材料所构成，该蚀刻遮罩膜系由对上述遮光性膜之蚀刻具有耐受性之无机材料所构成；且设上述相偏移膜之膜厚为t1，将上述蚀刻遮罩膜及上述遮光膜作为遮罩并藉由蚀刻剂来乾式蚀刻上述相偏移膜之蚀刻速度为v1，上述蚀刻遮罩膜之膜厚为t2，上述蚀刻遮罩膜由上述蚀刻剂所乾式蚀刻之蚀刻速度为v2时，(t1/v1)≦(t2/v2)。