| 摘要 |
<p>Dispositif émetteur de lumière comprenant une matrice monolithique de nitrures d'éléments III, ladite matrice comportant au moins un premier empilement (4) de puits quantiques ou de plans de boîtes quantiques apte à émettre des photons à au moins une première longueur d'onde par injection électrique, un deuxième empilement (2) de puits quantiques ou de plans de boîtes quantiques apte à émettre des photons à au moins une seconde longueur d'onde par pompage optique par lesdits photons émis par ledit premier empilement, et une région (3) séparant les deux dits empilements, ainsi qu'une première (8) et une deuxième (9) électrode agencées pour permettre le passage d'un courant électrique à travers lesdits empilements de puits quantiques ou de plans de boîtes quantiques. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une des revendications précédentes comportant la réalisation de ladite matrice monolithique de nitrures d'éléments III par croissance épitaxiale entièrement réalisée en phase vapeur aux organométalliques. Les couches au-dessus du deuxième empilement (2) sont réalisées à une température inférieure ou égale à 1000 °C et de préférence inférieure ou égale à 950 °C.</p> |
