Lese/Schreib-Operationen in Halbleiterspeicher-Bauelementen

摘要

Verfahren und Vorrichtungen werden bereitgestellt zum Lesen und Schreiben von Daten in Speicherzellen mit q Zuständen eines Halbleiterspeichers (2), wobei q > 2. Eingabedaten werden in Codewörter mit N q-stufigen Zeichen codiert, wobei die Zeichen jedes Codeworts eine Bedingung einer Einzelparitätsprüfung erfüllen. Jedes Zeichen wird in eine jeweilige Speicherzelle des Halbleiterspeichers (2) geschrieben, indem die Speicherzelle auf einen Zustand eingestellt wird, der von dem q-stufigen Wert des Zeichens abhängt. Speicherzellen werden gelesen, um Lesesignale zu erhalten, die den jeweiligen Codewörtern entsprechen. Die Codewörter, die den jeweiligen Lesesignalen entsprechen, werden erkannt, indem die Lesesignale mit einer vorgegebenen Menge von N-Zeichen-Vektoren in Beziehung gesetzt werden, von denen jedes mögliche Codewort eine Permutation darstellt.