发明名称 Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsanordnung (100) aufweisend einen optoelektronischen Halbleiterchip (110) und eine den Halbleiterchip (110) umgebende Vergussmasse (130). Der Halbleiterchip (110) ist zum Abgeben einer Primärstrahlung (170) ausgebildet. Die Vergussmasse (130) ist zum Umwandeln eines Teils der Primärstrahlung (170) in eine Konversionsstrahlung (175) ausgebildet, so dass eine Mischstrahlung (179) aus Primär- und Konversionsstrahlung (170, 175) erzeugbar ist. Das Verfahren umfasst ferner ein Einbringen wenigstens einer Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) in die Vergussmasse (130), so dass eine veränderte Mischstrahlung (179) erzeugbar ist. Die Vergussmasse (130) und die Verdrängungsmasse (140, 141, 142, 143) weisen eine unterschiedliche Materialbeschaffenheit auf. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.</p>
申请公布号 DE102013204293(A1) 申请公布日期 2014.09.18
申请号 DE201310204293 申请日期 2013.03.12
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 PINDL, MARKUS;JEREBIC, SIMON
分类号 H01L33/50;F21V9/16;H05B33/10;H05B33/22 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项
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