Fluor-dotierte Kanalsilizium-Germanium-Schicht

摘要

Es werden Verfahren zum Bilden von P-Typ-Kanal-Metalloxid-Halbleiterfeldeffekt-Transistoren (PMOSFETs) mit verbesserter Grenzflächenrauheit an der Kanalsilizium-Germanium(cSiGe)-Schicht und der sich ergebenen Vorrichtungen offenbart. Ausführungsformen können ein Bestimmen eines Bereichs in einem Substrat als Kanalbereich, ein Bilden einer cSiGe-Schicht über dem bestimmten Kanalbereich und ein Implantieren von Fluor direkt in die cSiGe-Schicht umfassen. Ausführungsformen können alternativ ein Implantieren von Fluor in einen Bereich in einem Siliziumsubstrat, der einen Kanalbereich bestimmt, ein Bilden einer cSiGe-Schicht über dem bestimmten Kanalbereich und ein Erwärmen des Siliziumsubstrats und der cSiGe-Schicht zum Diffundieren des Fluors in die cSiGe-Schicht umfassen.