发明名称 |
用于半导体封装的表面处理方法和装置 |
摘要 |
提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中,对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中,在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中,纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中,在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。 |
申请公布号 |
CN104051327A |
申请公布日期 |
2014.09.17 |
申请号 |
CN201310334939.7 |
申请日期 |
2013.08.02 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张志鸿;邓桔程;郭庭豪;陈映予 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种形成半导体器件的方法,所述方法包括:提供衬底,所述衬底具有与所述衬底相连接的集成电路管芯,在所述衬底上形成有金属层;对所述金属层的露出表面进行处理,所述处理生成具有纳米线的粗化表面;以及在所述金属层上方施加模塑料或底部填充材料。 |
地址 |
中国台湾新竹 |