发明名称 用于半导体封装的表面处理方法和装置
摘要 提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中,对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中,在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中,纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中,在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。
申请公布号 CN104051327A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201310334939.7 申请日期 2013.08.02
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 张志鸿;邓桔程;郭庭豪;陈映予
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种形成半导体器件的方法,所述方法包括:提供衬底,所述衬底具有与所述衬底相连接的集成电路管芯,在所述衬底上形成有金属层;对所述金属层的露出表面进行处理,所述处理生成具有纳米线的粗化表面;以及在所述金属层上方施加模塑料或底部填充材料。
地址 中国台湾新竹
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