发明名称 高增益运算放大器
摘要 本实用新型公开了一种高增益运算放大器。高增益运算放大器包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第一PNP管和第二PNP管。利用本实用新型提供的高增益运算放大器能够输出高增益的输出信号。
申请公布号 CN203840292U 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201420171911.6 申请日期 2014.04.08
申请人 浙江商业职业技术学院 发明人 齐盛
分类号 H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F3/45(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 高增益运算放大器,其特征在于包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第六NPN管、第七NPN管、第八NPN管、第一PNP管和第二PNP管:所述第一电阻的一端接电源VCC,另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极;所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极,另一端接地;所述第三电阻的一端接所述第一NPN管的发射极,另一端接地;所述第四电阻的一端接电源VCC,另一端接所述第二NPN管的集电极和所述第四NPN管的基极;所述第五电阻的一端接电源VCC,另一端接所述第三NPN管的集电极和所述第五NPN管的基极;所述第六电阻的一端接所述第五PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极,另一端接所述第六NPN管的基极和所述第五NMOS管的栅极和漏极;所述第七电阻的一端接输出VOUT和所述第八电阻的一端,另一端接所述第二PNP管的发射极;所述第八电阻的一端接输出VOUT和第七电阻的一端,另一端接所述第八NPN管的发射极;所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第一NPN管的集电极,源极接电源VCC;所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NPN管的集电极,源极接电源VCC,漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极;所述第三PMOS管的栅极接漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第四NPN管的集电极,源极接电源VCC;所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四NPN管的集电极,源极接电源VCC,漏极接所述第五NPN管的集电极和所述第五PMOS管的源极;所述第五PMOS管的栅极接所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第六电阻的一端,源极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五NPN管的集电极,漏极接所述第六NPN管的集电极和所述第一PNP管的基极和所述第七NPN管的基极;所述第六PMOS管的栅极接漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六电阻的一端,源极接电源VCC;所述第七PMOS管的栅极接所述第六PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第六电阻的一端,源极接电源VCC,漏极接所述第八NPN管的基极和所述第一PNP管的发射极;所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极,源极接地,漏极接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的发射极;所述第三NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极,源极接地,漏极接所述第四NPN管的发射极和所述第五NPN管的发射极;所述第四NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极,源极接地,漏极接所述第六NPN管的发射极;所述第五NMOS管的栅极接漏极和所述第六NPN管的基极和所述第六电阻的一端,源极接地;所述第六NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管和所述第二PMOS管的漏极,源极接地,漏极接所述第七NPN管的发射极和所述第二PNP管的基极;所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端,集电极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极,发射极接所述第三电阻的一端;所述第二NPN管的基极是VN端,集电极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极,发射极接所述第三NPN管的发射极和所述第二NMOS管的漏极;所述第三NPN管的基极是VP端,集电极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的基极,发射极接所述第二NPN管的发射极和所述第二NMOS管的漏极;所述第四NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第二NPN管的集电极,集电极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的栅极,发射极接所述第五NPN管的发射极和所述第三NMOS管的漏极;所述第五NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第三NPN管的集电极,集电极接所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的源极,发射极接所述第四NPN管的发射极和所述第三NMOS管的漏极;所述第六NPN管的基极接所述第六电阻的一端和所述第五NMOS管的栅极和漏极,集电极接所述第五PMOS管的漏极和所述第一PNP管的基极和所述第七NPN管的基极,发射极接所述第四NMOS管的漏极;所述第七NPN管的基极接所述第五PMOS管的漏极和所述第一PNP管的基极和所述第六NPN管的集电极,集电极接电源VCC,发射极接所述第六NMOS管的漏极和所述第二PNP管的基极;所述第八NPN管的基极接所述第七PMOS管的漏极和所述第一PNP管的发射极,集电极接电源VCC,发射极接所述第八电阻的一端;所述第一PNP管的基极接所述第七NPN管的基极和所述第五PMOS管的漏极和所述第六NPN管的集电极,集电极接地,发射极接所述第七PMOS管的漏极和所述第八NPN管的基极;所述第二PNP管的基极接所述第七NPN管的发射极和所述第六NMOS管的漏极,集电极接地,发射极接所述第七电阻的一端。
地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨文路470号