发明名称 PRODUCING SOI STRUCTURE USING HIGH-PURITY ION SHOWER
摘要 <p>Disclosed are methods for making SOI and SOG structures using purified ion shower for implanting ions to the donor substrate. The purified ion shower provides expedient, efficient, low-cost and effective ion implantation while minimizing damage to the exfoliation film.</p>
申请公布号 KR101441702(B1) 申请公布日期 2014.09.17
申请号 KR20087032242 申请日期 2007.05.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/265;H01L27/12 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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