| 发明名称 | 低形成电压的电阻式随机存取存储器（RRAM） | ||
| 摘要 | 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元及其制造方法。RRAM单元包括晶体管和RRAM结构。该RRAM结构包括具有通孔部分和非平面部分的底部电极；共形地覆盖底部电极的非平面部分的电阻材料层；以及位于电阻材料层上的顶部电极。底部电极的通孔部分嵌入第一RRAM停止层中。底部电极的非平面部分具有顶点并且在通孔部分上方居中。本发明还提供了低形成电压的电阻式随机存取存储器(RRAM)。 | ||
| 申请公布号 | CN104051615A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310234123.7 | 申请日期 | 2013.06.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨晋杰;朱文定;廖钰文;张至扬;陈侠威;涂国基;谢静佩 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器(RRAM)，包括：底部电极，具有通孔部分和非平面部分，其中，所述底部电极的所述通孔部分嵌入第一RRAM停止层中，并且所述非平面部分具有顶点并且在所述通孔部分上方居中；电阻材料层，共形地覆盖所述底部电极的所述非平面部分；以及顶部电极，位于所述电阻材料层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||