具有掺杂锌靶材之溅镀靶材组件;SPUTTERING TARGET ASSEMBLY HAVING DOPED ZINC TARGET

摘要

本发明大致上系有关于一种包含锌及掺杂物的镀溅靶材。锌系使用于金属氧化物半导体材料，例如是氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌、及氮氧化锌。锌可藉由溅镀锌靶材，而在所要的空气中被释放出来。若使用纯的锌溅镀靶材，除非牺牲移动率(mobility)而低于10 cm 2 /V-s，否则无法制造稳定的膜层。藉由加入一掺杂物(例如是镓)，不仅可沉积稳定的膜层，而且膜层会具有大于30 cm 2 /V-s的移动率。掺杂物可直接结合至锌中、或为直接邻近锌溅镀靶材之一不同的溅镀靶材。