半导体元件用清洗液及利用此清洗液之清洗方法

摘要

依本发明之理想态样，藉由以含有过氧化氢10~30质量%、4级铵氢氧化物0.005~10质量%、氢氧化钾0.005~5质量%、胺基聚亚甲基膦酸0.000005~0.005质量%及水之清洗液进行清洗，能不腐蚀低介电率层间绝缘膜、铜或铜合金等配线材料、阻隔金属及阻隔绝缘膜，而去除硬遮罩、有机矽氧烷系薄膜、乾蚀刻残渣及光阻。又，依本发明之理想态样，即使于清洗液中添加了酸的情形仍能抑制铜配线之受损，即使于清洗液中添加钛的情形仍不发生的过氧化氢的多量分解。