发明名称 |
晶圆,面板,半导体装置及玻璃基板之处理方法;WAFERS, PANELS, SEMICONDUCTOR DEVICES, AND GLASS SUBSTRATE TREATMENT METHODS |
摘要 |
玻璃基板处理方法,晶圆,面板及半导体装置在此揭露。在某些实施例中,处理一玻璃基板的方法包括形成一第一薄膜于玻璃基板上,第一薄膜具有一第一孔隙度。所述方法包括形成一第二薄膜于第一薄膜上,第二薄膜包括一电性绝缘材料,及具有一第二孔隙度。第一孔隙度小于第二孔隙度。 |
申请公布号 |
TW201436036 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
申请号 |
TW102127334 |
申请日期 |
2013.07.30 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
廖文翔 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
主权项 |
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地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |