| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一半导体装置包含一闸极结构配置于一基板之上。该装置更包含一隔离结构于该基板之中,并与该闸极结构的一边缘相邻。该装置亦包含一间隙壁位于该闸极结构的一侧壁上。其中,该间隙壁具有一上表面系低于该基板的一上表面。 |
| 申请公布号 |
TW201436235 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW103101574 |
申请日期 |
2014.01.16 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈昇庆;陈光鑫;田博仁;张宗生 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
