堆叠式电容式结构及其制造方法;STACK CAPCAITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明实施例提供一种适用于随机存记忆体取之堆叠式电容器结构及其制造方法。所述堆叠式电容器结构是形成于半导体基底之上。所述堆叠式电容器结构包括氧化层及环状阻挡层。所述氧化层是位于半导体基底之上。所述氧化层具有一电容沟渠。所述环状阻挡层是形成于电容沟渠的开口边缘。本发明之堆叠式电容器结构及其制造方法可避免堆叠式电容器结构发生因制程限制而具不同开口大小与因较宽腰身造成相邻之电容沟渠漏电导致短路的现象。