半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置,包括:在水平方向交替排列的第一掺杂柱区和第二掺杂柱区;其中所述第一掺杂柱区的掺杂浓度在垂直方向上由下至上依次递增,所述第二掺杂柱区的侧壁形成一倒梯形结构。本发明还提供一种半导体装置的制造方法。本发明可降低制程难度、控制成本,在提高耐压的基础上降低导通电阻,又能保证半导体装置中交替出现的第一掺杂柱区和第二掺杂柱区处于电荷平衡状态。