发明名称 | 半导体装置之绝缘结构与其制造方法;ISOLATION STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE PROCESSES AND STRUCTURES | ||
摘要 | 一种半导体装置,包括一绝缘结构。绝缘装置形成于一沟渠中。绝缘结构具有一覆盖氧化层与一基底氧化层,基底氧化层容纳覆盖氧化层。绝缘结构之顶面为平面。一氧化制程将氮自绝缘结构之一顶部移除,使绝缘结构之顶部具有一平衡的蚀刻速率且绝缘结构之顶部为一平坦的顶面。 | ||
申请公布号 | TW201436041 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
申请号 | TW102129151 | 申请日期 | 2013.08.14 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蓝国毓 |
分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>祁明辉</name><name>林素华</name> | |
主权项 | |||
地址 | MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号 |