| 摘要 |
[课题]提供可形成阻剂膜曝光部之残膜率高的负型阻剂图型的方法。[解决手段]将阻剂膜于曝光后加热,藉由使用含有有机溶剂的显影液的负型显影进行图型化后形成阻剂图型之方法中,使用含有具有一般式(a0-1)所表示的构成单位的高分子化合物的阻剂组成物。式(a0-1)中,R为氢原子、碳数1~5之烷基或碳数1~5之卤素化烷基。V1为可具有醚键、胺基甲酸酯键或醯胺键的2价烃基。n1为0~2,n2为0~3。R1为含内酯环式基、含-SO2-环式基或含碳酸酯环式基。R2及R3各自独立,为氢原子或碳数1~5之烷基。 |
