发明名称 锗鳍式场效电晶体结构;GERMANIUM FINFET STRUCTURE
摘要 一种锗鳍式场效电晶体结构包含一基底以及一锗层。锗层形成于基底上,锗层表面为锗{110}晶面。锗层包含至少一锗立体结构。锗立体结构包含一顶面以及一侧壁表面,其中顶面为锗{110}晶面,侧壁表面垂直于顶面。侧壁表面与顶面交界处形成一轴线,轴线之延伸方向平行于锗层表面之锗[112]晶格方向,侧壁表面为锗{111}晶面。上述锗鳍式场效电晶体结构可应用于制造电子通道(N型)锗鳍式场效电晶体。
申请公布号 TW201436207 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102108915 申请日期 2013.03.13
申请人 财团法人国家实验研究院 发明人 罗广礼;刘致为;许舒涵;朱俊霖;罗智鸿
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L29/02(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 <name>郭晓文</name>
主权项
地址 NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES 台北市大安区和平东路2段106号3楼