| 发明名称 |
用于金属化之方法及层;METHODS AND LAYERS FOR METALLIZATION |
| 摘要 |
本发明之一态样系一种制造一电子装置的方法。根据一实施例,该方法包含沉积包含有至少一掺杂物之一覆盖层到沟填金属上,以及退火使上述至少一掺杂物迁移到沟填金属的晶粒边界和/或界面。本发明之另一态样系一电子装置。 |
| 申请公布号 |
TW201435978 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102108083 |
申请日期 |
2013.03.07 |
| 申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
寇力克斯 亚图;那拉 普文 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/225(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>许峻荣</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
LAM RESEARCH CORPORATION 美国 |
