发明名称 编程记忆胞之方法与装置;METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING MEMORY CELLS
摘要 一种编程记忆胞的方法,包括施加一编程电压至一记忆胞阵列中的一被选择记忆胞,以及施加一邻近通过电压至一邻近记忆胞,该邻近记忆胞相邻于该被选择记忆胞,增加该编程电压以编程该被选择记忆胞,增加该邻近通过电压以编程该被选择记忆胞。
申请公布号 TW201435886 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102123114 申请日期 2013.06.28
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张馨文;张耀文;赵元鹏
分类号 G11C16/10(2006.01);G11C16/34(2006.01) 主分类号 G11C16/10(2006.01)
代理机构 代理人 <name>祁明辉</name><name>林素华</name>
主权项
地址 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号