发明名称 |
DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
摘要 |
Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce que : on se procure un substrat (10) semi-conducteur ; on met sur le substrat (10) un dispositif (75) à semi-conducteur ayant une face (25) arrière et une face (13) avant ; on met une couche (50) de contact sur la face (25) ; on réalise une liaison de la couche (50) avec un support (70) auxiliaire et on sépare le dispositif (75) du substrat (10). |
申请公布号 |
FR3003086(A1) |
申请公布日期 |
2014.09.12 |
申请号 |
FR20140000487 |
申请日期 |
2014.02.26 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
MAUDER ANTON;OTREMBA RALF;SCHULZE HANS JOACHIM |
分类号 |
H01L21/784;H01L21/329 |
主分类号 |
H01L21/784 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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