发明名称 DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
摘要 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce que : on se procure un substrat (10) semi-conducteur ; on met sur le substrat (10) un dispositif (75) à semi-conducteur ayant une face (25) arrière et une face (13) avant ; on met une couche (50) de contact sur la face (25) ; on réalise une liaison de la couche (50) avec un support (70) auxiliaire et on sépare le dispositif (75) du substrat (10).
申请公布号 FR3003086(A1) 申请公布日期 2014.09.12
申请号 FR20140000487 申请日期 2014.02.26
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 MAUDER ANTON;OTREMBA RALF;SCHULZE HANS JOACHIM
分类号 H01L21/784;H01L21/329 主分类号 H01L21/784
代理机构 代理人
主权项
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