半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之半导体装置系具备：积层晶片，其系将复数之半导体晶片积层而构成；及复数之不活性化电路，其系分别设置于上述复数之半导体晶片上，并将不良之半导体晶片不活性化；且上述复数之半导体晶片系分别具有复数之半导体基板、及形成于上述复数之半导体基板内之复数之贯通电极；且上述复数之贯通电极系电性连接。

主权项

一种半导体装置，其系包含：积层晶片，其系将复数之半导体晶片积层而构成；且上述复数之半导体晶片，系分别包含复数之半导体基板、及形成于上述复数之半导体基板内之复数之贯通电极；上述复数之贯通电极系电性连接；及复数之不活性化电路，其系分别设置于上述复数之半导体晶片上，并将不良半导体晶片不活性化。