摘要 |
Infrarotsensor (100) mit: einem Substrat (10); einer Membran (13), die als dünner Abschnitt auf dem Substrat (10) ausgebildet ist; einem Erkennungselement (20) zur Erzeugung eines elektrischen Signals auf der Grundlage einer Temperaturänderung, welche auftritt, wenn eine Infrarotstrahlung empfangen wird, wobei wenigstens ein Teil des Erkennungselements (20) auf der Membran (13) ausgebildet ist; und einem Infrarot-Absorptionsfilm (30), der auf der Membran (13) so ausgebildet ist, daß wenigstens ein Teil des Erkennungselements (20) abgedeckt ist, wobei die Oberflächenrauhigkeit des Infrarot-Absorptionsfilms (30) auf 2μm oder mehr gesetzt ist, und der Infrarot-Absorptionsfilm (30) unter Verwendung einer Paste gebildet wird, welche 30 bis 60 Gew.-% Kohlenstoffpartikel mit 2μm bis 3μm durchschnittlichem Partikeldurchmesser und 40 bis 70 Gew.-% Polyesterharz aufweist, wobei ein Siebdruckverfahren angewendet wird. |