| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Messung der Plasmastöchiometrie bei der Beschichtung eines Substrates mit einer Erfassungsoptik an einem Magnetron mit einem Target und einem ein Plasma in einem Plasmaraum erzeugenden Magnetsystem sowie mit einer Substrattransporteinrichtung, mit der ein Substrat in einer Substrattransportrichtung transportierbar ist, die in einer Vakuumprozesskammer angeordnet sind, sowie ein Verfahren, das diese Vorrichtung nutzt. Die Aufgabe der Erfindung ist es eine Vorrichtung zur Verfügung zu stellen, mit der eine aufwendige, platzintensive und fehleranfällige Vakuumdurchführung zur Auswertung der Prozessüberwachung überwunden werden kann, sowie ein Verfahren bereit zu halten, mit der die Eigenschaften von Schichten auf Substraten gemessen und optimiert werden können. Die Aufgabe der Erfindung wird vorrichtungsseitig dadurch gelöst, dass die Erfassungsoptik auf einer dem Plasmaraum abgewandten Seite des Targets angeordnet und auf eine den Plasmaraum reflektierenden Reflexionsfläche gerichtet ist, wobei verfahrensseitig die zu detektierende Plasmastrahlung aus dem Plasmaraum indirekt über eine Reflexion der Plasmastrahlung erfasst und zu einer Auswerteeinheit geleitet wird. |
