发明名称 |
用于检测多巴胺的全氟磺酸树脂修饰SnO<sub>2</sub>包覆ZnO的纳米管阵列电极及应用 |
摘要 |
本发明属于纳米材料应用技术领域,尤其涉及一种用于检测多巴胺的全氟磺酸树脂(Nafion)修饰SnO<sub>2</sub>包覆ZnO的纳米管阵列电极及应用。本发明的纳米管阵列电极是由导电基底和竖直生长在该导电基底上的Nafion修饰的多晶SnO<sub>2</sub>纳米颗粒膜包覆单晶ZnO纳米管的阵列构成。本发明的用于检测多巴胺的Nafion修饰SnO<sub>2</sub>包覆ZnO的纳米管阵列电极可以对水溶液中的多巴胺进行检测,以本发明的纳米管阵列电极作为工作电极,以铂片电极作为对电极,以饱和甘汞电极作为参比电极,用循环伏安法(CV)或差分脉冲伏安法(DPV)对水溶液中的多巴胺进行检测时,本发明的纳米管阵列电极可以产生极强的电化学信号。 |
申请公布号 |
CN104034790A |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201410261014.9 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
中国科学院理化技术研究所 |
发明人 |
佘广为;师文生 |
分类号 |
G01N27/48(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/48(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
李柏 |
主权项 |
一种用于检测多巴胺的全氟磺酸树脂修饰SnO<sub>2</sub>包覆ZnO的纳米管阵列电极,其特征是:所述的纳米管阵列电极是由导电基底和竖直生长在该导电基底上的全氟磺酸树脂修饰的多晶SnO<sub>2</sub>纳米颗粒膜包覆单晶ZnO纳米管的阵列构成。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村东路29号 |