发明名称 制造集成电路的方法
摘要 还没有提出一种用于分开通过具有新颖性结构的薄膜形成的集成电路的方法或者将集成电路移置到另一底层的方法,也就是移置方法。根据本发明,在隔离通过释放层形成在衬底上具有新颖性结构的薄膜的集成电路的情况下,在固定薄膜集成电路的状态中去除释放层,将薄膜集成电路移置到具有粘接表面的支撑衬底,并移置薄膜集成电路。
申请公布号 CN1934707B 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN200580009341.4 申请日期 2005.03.15
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 鹤目卓也;丸山纯矢;道前芳隆
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 张雪梅;梁永
主权项 一种用于制造薄膜集成电路的方法,包括:在绝缘衬底上选择性地形成彼此不接触的多个释放层;在多个释放层上形成多个薄膜集成电路;通过在该多个薄膜集成电路中彼此相邻的薄膜集成电路之间的边界处形成开口部分露出多个释放层;将包括卤素氟化物的气体或者液体引入到开口部分以去除多个释放层,其中将薄膜集成电路固定到绝缘衬底,并且其中在连接区中将薄膜集成电路彼此连接,所述连接区具有在形成开口部分时除了开口部分的区域之外保留的绝缘膜;将该多个薄膜集成电路移置到具有粘接表面的第一底层;分开绝缘衬底和该多个薄膜集成电路;以及将薄膜集成电路移置到第二底层,该第二底层具有粘接强度比第一底层的粘接表面的粘接强度高的粘接表面。
地址 日本神奈川县