发明名称 |
一种双模式绝缘栅晶体管 |
摘要 |
本发明公开了一种双模式绝缘栅晶体管,属于IGBT技术领域。该双模式绝缘栅晶体管包括逆导区和引导区;逆导区和引导区均包括P+集电区,漂移区和MOS元胞区,漂移区均在P+集电区的上方,MOS元胞区均在漂移区的上方;逆导区还包括N+集电区,N+集电区与P+集电区相间分布;引导区还包括分离区或低掺杂区,分离区将引导区的P+集电区与逆导区的P+集电区和N+集电区隔离,低掺杂区在引导区的P+集电区上方。本发明通过增加器件在VDMOS模式时引导区上方电子电流通道的电阻或引导区集电极PN结内建电势,缩小双模式绝缘栅晶体管的引导区尺寸,从而提高了器件工作时内部电流密度的均匀性,近而提高器件的整体可靠性。 |
申请公布号 |
CN104037208A |
申请公布日期 |
2014.09.10 |
申请号 |
CN201410287757.3 |
申请日期 |
2014.06.24 |
申请人 |
江苏中科君芯科技有限公司 |
发明人 |
张文亮;朱阳军;高君宇 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种双模式绝缘栅晶体管,其特征在于,包括逆导区和引导区;所述逆导区和所述引导区均包括P+集电区,漂移区和MOS元胞区,所述漂移区均在所述P+集电区的上方,所述MOS元胞区均在所述漂移区的上方;所述逆导区还包括N+集电区,所述N+集电区与所述P+集电区相间分布;所述引导区还包括分离区或低掺杂区,所述分离区将所述引导区的P+集电区与所述逆导区的P+集电区和所述N+集电区隔离,所述低掺杂区在所述引导区的P+集电区的上方。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座C1001 |