| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质薄膜，所述栅介质薄膜表面具有栅极薄膜，所述栅极薄膜表面具有掩膜层，所述掩膜层覆盖部分栅极薄膜表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极薄膜，直至暴露出栅介质薄膜为止，形成栅极层；在所述栅极层的侧壁表面形成覆盖层；以所述覆盖层和掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅介质薄膜，直至暴露出半导体衬底为止，形成栅介质层，所述栅介质层的宽度大于栅极层的宽度。由所形成的半导体结构形成的器件性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN104037084A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201310069587.7 | 申请日期 | 2013.03.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何其旸 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质薄膜，所述栅介质薄膜表面具有栅极薄膜，所述栅极薄膜表面具有掩膜层，所述掩膜层覆盖部分栅极薄膜表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极薄膜，直至暴露出栅介质薄膜为止，形成栅极层；在所述栅极层的侧壁表面形成覆盖层；以所述覆盖层和掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅介质薄膜，直至暴露出半导体衬底为止，形成栅介质层，所述栅介质层的宽度大于栅极层的宽度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||