| 发明名称 | 具有集成式无源装置的半导体装置及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制作工艺。在一个实施例中，所述半导体装置包含衬底及多个集成式无源装置。所述集成式无源装置设于所述衬底上且包含至少两个电容器，所述至少两个电容器具有不同电容值。 | ||
| 申请公布号 | CN104037170A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410082068.9 | 申请日期 | 2014.03.06 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建桦;王盟仁;李德章;李宝男 |
| 分类号 | H01L27/01(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及多个集成式无源装置，其设于所述衬底的所述第一表面上，其中所述集成式无源装置包含至少两个电容器，所述至少两个电容器具有不同电容值。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 | ||