| 发明名称 | 一种Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板，涉及显示技术领域中的纳米技术，该纳米晶溶液中的纳米晶粒径尺寸较小，对紫外-可见光范围内的光均有吸收，利用该纳米晶溶液制备而成的黑矩阵可在具有较小厚度的同时获得良好的遮光性能。该纳米晶溶液中，分散在纳米晶溶液中的纳米晶的粒径为5～20nm，纳米晶的带隙宽度为0.8～1.5ev，纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。用于Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶溶液的制备及其在黑矩阵中的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104031459A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410252354.5 | 申请日期 | 2014.06.09 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 崔颖;宋莹莹;刘则 |
| 分类号 | C09D7/12(2006.01)I;C09D11/30(2014.01)I;C09D11/03(2014.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;G02B5/20(2006.01)I | 主分类号 | C09D7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶溶液，其特征在于，分散在所述Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶溶液中的Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶的粒径为5～20nm，所述Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶的带隙宽度为0.8～1.5ev，所述Cu<sub>2</sub>Zn<sub>0.14</sub>Sn<sub>0.25</sub>Te<sub>2.34</sub>纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||