| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件的制造方法。该制造方法包括如下步骤。在半导体衬底上形成保护膜。穿过所述保护膜在所述半导体衬底中注入杂质离子。激活所述杂质以形成杂质层。在形成所述杂质层之后去除所述保护膜。在去除所述保护膜之后去除杂质层表面部分的半导体衬底。在去除杂质层表面部分的半导体衬底之后，于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。本发明能够提供高性能及高可靠性的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102446855B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201110264444.2 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 江间泰示;森年史;三宅利纪;冈部坚一 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;张志杰 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤： 在半导体衬底之上形成保护膜； 穿过所述保护膜在所述半导体衬底中离子注入杂质； 激活所述杂质以在所述半导体衬底中形成杂质层； 在形成所述杂质层之后去除所述保护膜； 在去除所述保护膜之后去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底；以及 在去除所述杂质层的表面部分的半导体衬底之后，于所述半导体衬底之上外延生长半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||