使用替代栅工艺制造的纳米线FET中的压缩(PFET)和拉伸(NFET)沟道应变

摘要

提供了一种制造FET器件的方法，其包括如下步骤。在BOX层上方的SOI层中形成纳米线/衬垫，其中所述纳米线悬置在所述BOX上方。沉积包围所述纳米线的HSQ层。使所述HSQ层的包围所述纳米线的(一个或多个)部分交联，其中所述交联使得所述HSQ层的所述(一个或多个)部分收缩，由此在所述纳米线中诱发应变。形成一个或多个栅极，所述栅极保持在所述纳米线中诱发的应变。也提供了一种FET器件，其中每条纳米线具有(一个或多个)第一区域和(一个或多个)第二区域，所述第一区域变形使得所述(一个或多个)第一区域中的晶格常数小于所述纳米线的弛豫晶格常数，所述第二区域变形使得所述(一个或多个)第二区域中的晶格常数大于所述纳米线的弛豫晶格常数。

主权项

一种制造场效应晶体管(FET)器件的方法，包括如下步骤：在掩埋氧化物(BOX)层上方的绝缘体上硅(SOI)层中形成纳米线和衬垫，其中所述纳米线以梯子状构造被连接到所述衬垫，并且其中所述纳米线悬置在所述BOX上方；沉积包围所述纳米线的氢倍半硅氧烷(HSQ)层；使包围所述纳米线的所述HSQ层的一个或多个部分交联，其中所述交联使得所述HSQ的所述一个或多个部分收缩，由此在所述纳米线中诱发应变；以及形成包围每一条所述纳米线的部分的一个或多个栅极，其中所述栅极保持通过所述交联步骤在所述纳米线中诱发的应变，并且其中所述纳米线的被所述栅极包围的所述部分包括所述器件的沟道区，并且所述纳米线的从所述栅极和所述衬垫伸出的部分包括所述器件的源极区和漏极区。