| 发明名称 | 多层金属接触件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括在围绕至少一个栅电极的第一介电层内形成第一层接触件，第一层接触件延伸至底部衬底的掺杂区域。所述方法进一步包括在第一介电层上方形成第二介电层，并且形成延伸穿过第二介电层至第一层接触件的第二层接触件。 | ||
| 申请公布号 | CN104037122A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201310451248.5 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 谢铭峰;曾文弘;赖志明;谢艮轩;高蔡胜;刘如淦 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括：在围绕栅电极的第一介电层中形成第一层接触件，所述第一层接触件延伸至底部衬底的掺杂的源极/漏极区域；在所述第一介电层上方形成第二介电层；形成穿过所述第二介电层延伸至所述第一层接触件的第二层接触件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||