发明名称 组合式SIM卡及其生产工艺
摘要 本发明公开了一种组合式SIM卡及其生产工艺,其中生产工艺包括以下步骤:预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;将卡体铳切为标准卡片;在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。本发明通过在一张卡体上采用油墨分离原理完成2种不同厚度的SIM卡产品的集合,与同类产品相比本发明可在不增加现有设备投入的情况下,采用简单实用的工艺来完成。
申请公布号 CN104036318A 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201410305728.5 申请日期 2014.06.30
申请人 武汉天喻信息产业股份有限公司 发明人 翟新胜;刘杰
分类号 G06K19/077(2006.01)I 主分类号 G06K19/077(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 许美红
主权项 一种组合式SIM卡生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:预先在中间补偿基片上的第一SIM卡区域涂布一层光油,该第一SIM卡的表面积和厚度均小于第二SIM卡;将面层印刷基片、中间补偿基片和底部印刷基片热压合成为一张厚度相同的卡体;将卡体铳切为标准卡片;在标准卡片上进行芯片位铣槽,并进行芯片封装;用第二SIM卡的模具在标准卡片上进行铳切;用第一SIM卡的模具在第二SIM上进行二次铳切。
地址 430223 湖北省武汉市东湖开发区华中科技大学科技园天喻大厦
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