一种浅沟槽结构及浅沟槽填充方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽结构及浅沟槽填充方法，涉及用于半导体的制造工艺领域，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，浅沟槽包括上部和下部，形成浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于基底的斜率小于形成浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁。进行浅沟槽隔绝层淀积；将氮化硅层移除。本发明的技术方案增加生产产能，降低生产成本，工艺调整较小容易实施。

主权项

一种浅沟槽结构，其特征在于，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和第二侧壁设于所述基底之上，所述第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，所述浅沟槽包括上部和下部，所述下部临近所述基底，所述上部远离所述基底，形成所述浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于所述基底的斜率小于形成所述浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率。