发明名称 |
一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法,其中,包括如下具体步骤:步骤a、于一存在图形缺陷的铝互联结构表面形成一第一阻挡层;步骤b、对所述铝互联结构进行刻蚀,直至所述铝互联结构被去除;步骤c、去除刻蚀后表面的残留物质;步骤d、使刻蚀后表面平整。本发明的有益效果是:本发明的有益效果是:采用本法明所提供的方法,可以对受到铝线图形缺陷影响的布线层进行重做,从而避免了晶圆的报废。 |
申请公布号 |
CN102543856B |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201210018209.1 |
申请日期 |
2012.01.20 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
杨渝书;李程;陈玉文 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种铝刻蚀图形缺陷的修补方法,其特征在于,包括如下具体步骤:步骤a、于一存在图形缺陷的铝互联结构表面形成一第一阻挡层;步骤b、对所述铝互联结构进行刻蚀,直至所述铝互联结构被去除;步骤c、去除刻蚀后表面的残留物质;步骤d、使刻蚀后表面平整;其中,所述铝互联结构从上到下依次为:绝缘抗反射层、第二阻挡层、铝层、第三阻挡层;所述第一阻挡层材质为底部抗反射层聚合物;第二阻挡层材质为钛或氮化钛,所述第三阻挡层材质为钛或氮化钛;所述步骤b中刻蚀所述铝互联结构的具体方法包括如下步骤:步骤b1、刻蚀所述绝缘抗反射层和第二阻挡层,直至所述绝缘抗反射层与所述第二阻挡层被去除;步骤b2、刻蚀所述铝层,直至所述铝层被去除;步骤b3、刻蚀所述第三阻挡层,使所述第三阻挡层被去除,并过刻蚀一定量的第三阻挡层的下层物质;步骤b4、使用刻蚀机台自带的去胶腔进行剩余第一阻挡层和生成聚合物的去除。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |