发明名称 |
阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,其中该制作方法包括:在衬底基板上形成有源材料层、栅极绝缘层和金属薄膜,通过第一次构图工艺形成包括有源层的图形和包括栅极、源极、漏极、栅极线和数据线的图形;在衬底基板上形成钝化层,通过第二次构图工艺形成源极接触孔、漏极接触孔和跨桥结构接触孔;在衬底基板上形成透明导电薄膜,通过薄膜剥离工艺去除部分透明导电薄膜,以形成源极接触部分、漏极接触部分、像素电极和跨桥结构。上述制作方法降低了构图工艺的使用次数,具有制作方法简单、生产效率高、产品良率高的优点。 |
申请公布号 |
CN104022076A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410226377.9 |
申请日期 |
2014.05.27 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
龙春平;刘政;王祖强;任章淳 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次形成有源材料层、栅极绝缘层和金属薄膜,通过第一次构图工艺图案化所述有源材料层、所述栅极绝缘层和所述金属薄膜,形成包括有源层的图形和包括栅极、源极、漏极、栅极线和数据线的图形,所述栅极的周围暴露出部分所述栅极绝缘层,所述栅极线或所述数据线在所述栅极线和所述数据线的交叉处断开;在衬底基板上形成钝化层,通过第二次构图工艺图案化所述钝化层,形成暴露出部分所述源极与部分所述有源层的源极接触孔、暴露出部分所述漏极与部分所述有源层的漏极接触孔和暴露出部分断开的栅极线或数据线的跨桥结构接触孔;在衬底基板上形成透明导电薄膜,通过薄膜剥离工艺去除部分所述透明导电薄膜,以在所述源极接触孔中形成电连接所述源极和所述有源层的源极接触部分,在所述漏极接触孔中形成电连接所述漏极和所述有源层的漏极接触部分,在所述漏极上方的钝化层上形成与所述漏极接触部分电连接的像素电极,在所述跨桥结构接触孔内和上方的钝化层上形成电连接断开的栅极线或数据线的跨桥结构。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |