发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够防止铜等金属在对透明导电薄膜进行构图工艺的过程中发生氧化,保证源极和漏极的导电能力。该种阵列基板,包括多个阵列排布的像素单元区域,所述像素单元区域包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的有源层和所述像素电极之间形成有第一绝缘层,所述第一绝缘层形成有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔分别对应所述有源层的两端,所述薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔连接所述有源层,所述薄膜晶体管的漏极搭接在所述像素电极之上并通过所述第二过孔连接所述有源层。 |
申请公布号 |
CN104020621A |
申请公布日期 |
2014.09.03 |
申请号 |
CN201410224631.1 |
申请日期 |
2014.05.26 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
曹占锋;丁录科;张文林;孔祥春;张锋;姚琪;章志兴 |
分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1368(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括多个阵列排布的像素单元区域,所述像素单元区域包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的有源层和所述像素电极之间形成有第一绝缘层,所述第一绝缘层形成有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔分别对应所述有源层的两端,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极通过所述第一过孔连接所述有源层,所述薄膜晶体管的漏极搭接在所述像素电极之上并通过所述第二过孔连接所述有源层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |