一种选择区域外延生长界面保护方法

摘要

本发明提供一种半导体工艺方法，具体涉及一种选择区域外延生长界面保护方法，包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上部分覆盖一层光刻胶保护层，在所述光刻胶保护层上继续淀积一层介质层，作为掩膜层，而后采用光刻胶剥离工艺去除所述光刻胶保护层及光刻胶保护层上的介质层，实现对掩膜层的图形化，最后在未被掩蔽的区域进行外延生长。本发明工艺简单，可以很好地解决传统光刻和腐蚀方法制作掩膜层时容易损伤生长界面的问题。

主权项

一种选择区域外延生长界面保护方法，其特征在于，采用光刻胶保护生长界面并利用光刻胶剥离工艺形成特定图案的外延生长掩膜层，具体包含以下步骤：S1. 提供一种衬底；S2. 在所述衬底上部分形成图案化结构的光刻胶保护层；S3. 在所述有光刻胶保护层的衬底上沉积一介质层，形成掩膜层；S4. 使用光刻胶剥离液去除所述光刻胶保护层，同时去除所述保护层上的介质层，保留衬底上的掩膜层，使得掩膜层图形化；S5. 在所述有掩膜层的衬底上进行外延生长。