| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法。其中，所述半导体结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的层间介质层；位于所述层间介质层中的金属层；位于所述金属层上的粘附层；位于所述层间介质层和粘附层上的阻挡层；其中，与所述金属层接触的粘附层的表面包含导电材料，与所述阻挡层接触的粘附层的表面包含绝缘材料。本发明提高了半导体结构中金属层与阻挡层之间的粘附性，避免金属层与阻挡层之间发生脱层，进而提高所形成半导体结构的成品率和电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104022068A | 申请公布日期 | 2014.09.03 |
| 申请号 | CN201310064743.0 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层和掩膜层，并在所述层间介质层和掩膜层中形成金属层；在所述金属层上形成粘附层；在所述粘附层和掩膜层上形成阻挡层；其中，与所述金属层接触的粘附层的表面包含导电材料，与所述阻挡层接触的粘附层的表面包含绝缘材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||