一种射频收发前端模块及其制备方法

摘要

本发明公开了一种射频收发前端模块，该模块采用QFN8×8-16L标准封装，在QFN8×8-16L标准封装引线框中心的金属衬底上设置有一个矩形的氮化铝基板、一个砷化镓低噪放芯片，所述砷化镓低噪放芯片分别与QFN8×8-16L标准封装的相应引脚连接；所述氮化铝基板表面上分别设置有五个相互隔离的金属涂覆层区域，金属涂覆层区域中的四个PIN二极管芯片两个芯片电容构成收发开关切换电路；其中一个芯片电容连接砷化镓低噪放芯片，构成接收通道。本发明还公开了该模块的制备方法。本发明满足TDD工作模式系统基站功放极大功率切换，工作安全可靠，同时具有接收灵敏度高、集成度高、成本低、性能优、使用便利等优点。

主权项

一种射频收发前端模块，其特征在于：该模块采用QFN 8×8‑16L标准封装，在QFN8×8‑16L标准封装引线框中心的金属衬底上设置有一个矩形的氮化铝基板、以及一个砷化镓低噪放芯片，所述砷化镓低噪放芯片分别与QFN 8×8‑16L标准封装的相应引脚连接；所述氮化铝基板表面上分别设置有五个相互隔离的金属涂覆层区域，其中第一金属涂覆层区域横穿氮化铝基板的中部，并且该金属涂覆层上均匀分布有N个接地孔，N为自然数；第二至第五金属涂覆层区域分别位于氮化铝基板的四端；在第一金属涂覆层区域上的一端设置有第一芯片电容，在第二、第三金属涂覆层区域中分别设置有第一、第二PIN二极管芯片，在第四金属涂覆层区域中设置有第三PIN二极管芯片以及第二芯片电容，在第五金属涂覆层区域中设置有第四PIN二极管芯片，由此共同构成射频收发前端模块的收发开关切换电路；其中：所述第一、第二PIN二极管芯片构成该射频收发前端模块的发射通道；其中，所述第一PIN二极管芯片与QFN 8×8‑16L标准封装的第1引脚连接，所述第二PIN二极管芯片与第一PIN二极管芯片以及QFN 8×8‑16L标准封装的第15引脚连接； 所述第三、第四PIN二极管，第一、第二芯片电容，以及砷化镓低噪放芯片构成该射频收发前端模块的接收通道；其中，所述第三PIN二极管分别与QFN 8×8‑16L标准封装的第1引脚、第四PIN二极管、第二芯片电容、以及QFN 8×8‑16L标准封装的第3引脚连接；所述第四PIN二极管分别与第一芯片电容、QFN 8×8‑16L标准封装的第14引脚连接；所述第二芯片电容与砷化镓低噪放芯片的输入引脚连接。